Samsung, memorie NAND flash a 14 nanometri già a inizio 2016

Si prospetta un anno di record per la divisione componenti elettronici di Samsung. Solo ieri abbiamo avuto modo di apprendere che la società si appresterebbe a iniziare la produzione di massa dei chip di RAM con un processo produttivo rinnovato, a 18 nm; oggi, invece, apprendiamo dalla stessa fonte (quindi non ufficiale, almeno per ora) che anche i chip di memoria flash NAND otterranno un nuovo processo produttivo, a 14 nm.

Anche in questo caso, Samsung è riuscita a battere sul tempo la concorrenza. Il processo produttivo sarebbe già stato configurato, testato e pronto per la produzione di massa; i nuovi chip dovrebbero essere presentati ufficialmente entro la prima metà del 2016, durante la conferenza ISSCC (International Solid State Circuit Conference) che si terrà a San Francisco il 31 di gennaio 2016. SK Hynix, per fare un paragone, avrebbe iniziato i test sui 14 nm solo ora, e spererebbe di avviare la produzione di massa entro fine 2016.

Proponendo chip NAND "flat" a 14 nm, Samsung è riuscita a oltrepassare una barriera che molti ritenevano insuperabile: Micron e Intel hanno già intenzione di abbandonare ulteriori evoluzioni del loro processo produttivo per concentrarsi sulla NAND "3D". Riducendo il processo produttivo si ridurranno anche le dimensioni dei die, permettendo di ottimizzare i costi di produzione grazie a wafer più densi.


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