Accordo Samsung e ARM per i futuri chip a 14 nm ad alta efficienza

Novità per i chip Samsung di prossima generazione per impiego mobile, il colosso coreano non sembra voler rallentare la crescita del 2012 e dopo aver confermato l’intenzione di espandere gli impianti di produzione chip a Austin in Texas, ha concluso un accordo con ARM realizzando in collaborazione con Synopsys  i primi test-chip con processo costruttivo a 14 nm FinFET con notevoli vantaggi rispetto alla tecnologia transitor planari e l’introduzione di nuove librerie IP.

I chip FinFET rappresentano la tecnologia di prossima generazione che promette un notevole miglioramento delle prestazioni  e bassi consumi rispetto all’attuale processo costruttivo a 32 nm degli ultimi Exynos. Dopo aver abbracciato Big.LITTLE per la prossima generazione di SoC Exynos, il sucessivo step è rappresentato dai chip a 14 nm. Samsung  ha anche presentato il PDK ( Process Design Kit ) che permetterà di iniziare i propri clienti alla progettazione e design di circuiti integrati, sulla base dei test FinFET effettuati con successo. Una nuova scommessa per il colosso coreano che potrebbe prendere vita in ambito consumer gia durante il prossimo 2013.

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